SI1970DH-T1-E3

SI1970DH-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SI1970DH-T1-E3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
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SI1970DH-T1-E3 Description détaillée

Numéro d'article SI1970DH-T1-E3
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 95pF @ 15V
Puissance - Max 1.25W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SC-70-6 (SOT-363)
Poids -
Pays d'origine -

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