SI1441EDH-T1-GE3

SI1441EDH-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SI1441EDH-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
132904 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1961/pcs
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SI1441EDH-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SI1441EDH-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 5A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-363
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Poids -
Pays d'origine -

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