S8CG-M3/I - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	S8CG-M3/I
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Courant - Rectifié moyen (Io)	8A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	985mV @ 8A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	4µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F	79pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AB, SMC
Package de périphérique fournisseur	DO-214AB (SMC)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
S8CG-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB	Détails
S8CGHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB	Détails
S8CJ-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB	Détails
S8CJHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB	Détails
S8CK-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB	Détails
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S8CM-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB	Détails
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