S1J-E3/5AT - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	S1J-E3/5AT
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 1A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	1.8µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	1µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AC, SMA
Package de périphérique fournisseur	DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
S1J-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 600V 1A SMA	Détails
S1J-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 600V 1A SMA	Détails
S1J-B/SS	ORIGINAL	S1J-B/SS ORIGINAL DO214A.. New Original Stocks	Détails
S1J-E3/11T	VISHAY	S1J-E3/11T VISHAY DO214A New Original Stocks	Détails
S1J-E3/51T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Détails
S1J-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Détails
S1J-E3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Détails
S1J-F	SMC Diode Solutions	SMT GLASS PASSIVATED RECTIFIER	Détails
S1J-JR2	Taiwan Semiconductor Corporation	STANDARD RECOVERY RECTIFIER	Détails
S1J-JR3	Taiwan Semiconductor Corporation	STANDARD RECOVERY RECTIFIER	Détails