S10CMHM3/I - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	S10CMHM3/I
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V
Courant - Rectifié moyen (Io)	10A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1V @ 10A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	5µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F	79pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AB, SMC
Package de périphérique fournisseur	DO-214AB (SMC)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
S10C40C	MOSPEC	S10C40C MOSPEC TO-220 New Original Stocks	Détails
S10CG-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 10A DO214AB	Détails
S10CGHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 10A DO214AB	Détails
S10CJ-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 10A DO214AB	Détails
S10CJHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB	Détails
S10CK-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB	Détails
S10CKHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB	Détails
S10CM-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB	Détails
S10CMHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB	Détails