RS1B-M3/61T - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	RS1B-M3/61T
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	50V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.3V @ 1A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	150ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F	10pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AC, SMA
Package de périphérique fournisseur	DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
RS1B	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 1A SMA	Détails
RS1B M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Détails
RS1B R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Détails
RS1B-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 1A SMA	Détails
RS1B-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 1A SMA	Détails
RS1B-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Détails
RS1B-E3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Détails
RS1B-M3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SW 1A 100V DO-214AC	Détails
RS1B-M3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC	Détails
RS1B-SS	STARSEA	RS1B-SS STARSEA SMA New Original Stocks	Détails