MB6S-E3/80 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	MB6S-E3/80
État de la pièce	Active
Type de diode	Single Phase
La technologie	Standard
Tension - Peak Reverse (Max)	600V
Courant - Rectifié moyen (Io)	500mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1V @ 400mA
Courant - Fuite inverse @ Vr	5µA @ 600V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-269AA, 4-BESOP
Package de périphérique fournisseur	TO-269AA (MBS)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MB6S	Fairchild/ON Semiconductor	IC RECT BRIDGE 0.5A 600V 4SOIC	Détails
MB6S-E3	VISHAY	MB6S-E3 VISHAY TO-269.. New Original Stocks	Détails
MB6S-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 0.5A 600V MINI TO269AA	Détails
MB6S-E3/80	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECT BRIDGE 600V .5A TO269AA	Détails
MB6S-TP	Micro Commercial Co	IC RECT BRIDGE 0.5A 600V MBS-1	Détails
MB6STR	SMC Diode Solutions	BRIDGE RECT 1PH 600V 500MA MBS	Détails