IRLI640G

IRLI640G - Vishay Siliconix

Numéro d'article
IRLI640G
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IRLI640G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4390 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IRLI640G

IRLI640G Description détaillée

Numéro d'article IRLI640G
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9.9A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
Vgs (Max) ±10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 5.9A, 5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220-3
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IRLI640G