IRFD110

IRFD110 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
IRFD110
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IRFD110 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3543 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IRFD110

IRFD110 Description détaillée

Numéro d'article IRFD110
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 600mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquet / cas 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IRFD110