IRFBC40STRR

IRFBC40STRR - Vishay Siliconix

Numéro d'article
IRFBC40STRR
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IRFBC40STRR Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3878 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IRFBC40STRR

IRFBC40STRR Description détaillée

Numéro d'article IRFBC40STRR
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6.2A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D2PAK
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IRFBC40STRR