IRFB18N50K

IRFB18N50K - Vishay Siliconix

Numéro d'article
IRFB18N50K
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IRFB18N50K Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3015 pcs
Prix ​​de référence
USD 8.6902/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IRFB18N50K

IRFB18N50K Description détaillée

Numéro d'article IRFB18N50K
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2830pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IRFB18N50K