| Numéro d'article | IRF640STRRPBF |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 3.1W (Ta), 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TO-263 (D²Pak) |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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IRF640 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 | Détails |
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IRF640,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB | Détails |
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IRF640A | FSC | IRF640A FSC To-220 New Original Stocks | Détails |
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IRF640B | FSC | IRF640B FSC TO-220 New Original Stocks | Détails |
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IRF640B_FP001 | FAIRCHILDSEMICONDUCTORHKLTD | IRF640B_FP001 FAIRCHILDSEMICONDUCTORHKLTD SMD or Through Hole New Original Stocks | Détails |
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IRF640FP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP | Détails |
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IRF640LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | Détails |
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