IRF630L

IRF630L - Vishay Siliconix

Numéro d'article
IRF630L
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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3957 pcs
Prix ​​de référence
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IRF630L Description détaillée

Numéro d'article IRF630L
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 5.4A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur I2PAK
Paquet / cas TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids -
Pays d'origine -

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