IRC530PBF - Vishay Siliconix

Numéro d'article	IRC530PBF
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	14A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	Current Sensing
Dissipation de puissance (Max)	88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 8.4A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220-5
Paquet / cas	TO-220-5
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IRC4BC30U	IR	IRC4BC30U IR TO New Original Stocks	Détails
IRC530PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5	Détails
IRC540PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 28A TO-220-5	Détails
IRC630	IR	IRC630 IR TO-220.. New Original Stocks	Détails
IRC630PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5	Détails
IRC634PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5	Détails
IRC640	IR	IRC640 IR TO-220.. New Original Stocks	Détails
IRC640PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5	Détails
IRC644PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 250V 14A TO-220-5	Détails
IRC7139	IR	IRC7139 IR QFN New Original Stocks	Détails