GBLA10-E3/45 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	GBLA10-E3/45
État de la pièce	Active
Type de diode	Single Phase
La technologie	Standard
Tension - Peak Reverse (Max)	1000V
Courant - Rectifié moyen (Io)	3A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1V @ 4A
Courant - Fuite inverse @ Vr	5µA @ 1000V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	4-SIP, GBL
Package de périphérique fournisseur	GBL
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
GBLA005	VISHAY	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifiers	Détails
GBLA005 D2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL	Détails
GBLA005-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL	Détails
GBLA005-E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL	Détails
GBLA005HD2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL	Détails
GBLA005_08	VISHAY	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier	Détails
GBLA01	VISHAY	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifiers	Détails
GBLA01 D2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL	Détails
GBLA01-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL	Détails
GBLA01-E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL	Détails