GA400TD25S - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	GA400TD25S
État de la pièce	Obsolete
Type d'IGBT	-
Configuration	Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	250V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	400A
Puissance - Max	1350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.6V @ 15V, 400A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	500µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	36nF @ 30V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Dual INT-A-PAK (3 + 8)
Package de périphérique fournisseur	Dual INT-A-PAK
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	GA400TD25S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK	Détails
	GA40931	EXSHINE	SINGLE PHASE MOULDED BRIDGES 0,8 AMP TO 1,5 AMP	Détails