| Numéro d'article | G2SB80-E3/51 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Single Phase |
| La technologie | Standard |
| Tension - Peak Reverse (Max) | 800V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 1.5A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 750mA |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 600V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | 4-SIP, GBL |
| Package de périphérique fournisseur | GBL |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
G2SB20 | VISHAY | Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier | Détails |
|
G2SB20-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 200V GBL | Détails |
|
G2SB20-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 200V GBL | Détails |
|
G2SB60 | VISHAY | Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier | Détails |
|
G2SB60-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 600V GBL | Détails |
|
G2SB60-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 600V GBL | Détails |
 |
G2SB60-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 1.5A 600V GBL | Détails |
|
G2SB60-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 1.5A 600V GBL | Détails |
|
G2SB60L-5700E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL | Détails |
|
G2SB60L-5700E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL | Détails |
