EGL34AHE3_A/H - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	EGL34AHE3_A/H
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	50V
Courant - Rectifié moyen (Io)	500mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.25V @ 500mA
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F	7pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-213AA (Glass)
Package de périphérique fournisseur	DO-213AA (GL34)
Température de fonctionnement - Jonction	-65°C ~ 175°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
EGL34A	GS	EGL34A GS LL34 New Original Stocks	Détails
EGL34A-E3/83	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA	Détails
EGL34A-E3/98	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA	Détails
EGL34AHE3/83	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA	Détails
EGL34AHE3/98	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA	Détails
EGL34AHE3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA	Détails
EGL34AHE3_A/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA	Détails
EGL34A_07	SEMIKRON	Surface mount diode Ultrafast silicon rectifier diodes	Détails
EGL34B	VISHAY	Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier	Détails
EGL34B-E3/83	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213	Détails