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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › CPV363M4F
CPV363M4F

CPV363M4F - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article
CPV363M4F
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
Brève description
IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
CPV363M4F Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4377 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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CPV363M4F Description détaillée

Numéro d'article CPV363M4F
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 16A
Puissance - Max 36W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.63V @ 15V, 16A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 1.1nF @ 30V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas 19-SIP (13 Leads), IMS-2
Package de périphérique fournisseur IMS-2
Poids -
Pays d'origine -

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