BYV32-100HE3/45 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	BYV32-100HE3/45
État de la pièce	Active
Configuration de diode	1 Pair Common Cathode
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)	18A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.15V @ 20A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	25ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 100V
Température de fonctionnement - Jonction	-65°C ~ 150°C
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-220-3
Package de périphérique fournisseur	TO-220AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BYV32	VISHAY	Dual Ultrafast Rectifiers	Détails
BYV32-100	GE	FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER	Détails
BYV32-100-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY GP 100V 18A TO220AB	Détails
BYV32-100-XM	SEME-LAB	HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS	Détails
BYV32-100-XTM	SEME-LAB	HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS	Détails
BYV32-100HE3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY GP 100V 18A TO220AB	Détails
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