| Numéro d'article | BYM07-150-E3/98 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 500mA |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 500mA |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 150V |
| Capacitance @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-213AA (Glass) |
| Package de périphérique fournisseur | DO-213AA (GL34) |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
BYM07-100 | VISHAY | Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier | Détails |
|
BYM07-100-E3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | Détails |
|
BYM07-100-E3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | Détails |
|
BYM07-100HE3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | Détails |
|
BYM07-100HE3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | Détails |
 |
BYM07-100HE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | Détails |
|
BYM07-100HE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | Détails |
|
BYM07-150 | VISHAY | Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier | Détails |
|
BYM07-150-E3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213 | Détails |
|
BYM07-150HE3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213 | Détails |
