BAV23C-E3-18 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	BAV23C-E3-18
État de la pièce	Active
Configuration de diode	1 Pair Common Cathode
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)	200mA (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1V @ 200mA
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	100nA @ 200V
Température de fonctionnement - Jonction	150°C (Max)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur	SOT-23
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BAV20	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35	Détails
BAV20 A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35	Détails
BAV20,113	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2	Détails
BAV20,133	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2	Détails
BAV20,143	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2	Détails
BAV20-TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35	Détails
BAV20-TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35	Détails
BAV200	VISHAY	Silicon Epitaxial Planar Diodes	Détails
BAV200-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Détails
BAV200-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Détails