| Numéro d'article | B125C800G-E4/51 |
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| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Single Phase |
| La technologie | Standard |
| Tension - Peak Reverse (Max) | 200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 900mA |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 900mA |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | 4-Circular, WOG |
| Package de périphérique fournisseur | WOG |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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B125C1000G | VISHAY | Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier | Détails |
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B125C1000G-E4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE BRIDGE 1A 200V WOG | Détails |
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B125C1500 | EXSHINE | B40C1500 THRU B500C1500 | Détails |
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B125C1500G | VISHAY | Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier | Détails |
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B125C1500G-E4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE BRIDGE 1.5A 200V WOG | Détails |
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B125C3200-2200 | SEMIKRON | Silicon-Bridge Rectifiers | Détails |
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B125C3700-2200 | SEMIKRON | Silicon-Bridge Rectifiers | Détails |
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B125C5000-3000 | SEMIKRON | Silicon-Bridge Rectifiers | Détails |
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B125C5000-3300 | SEMIKRON | Silicon-Bridge Rectifiers | Détails |
