50MT060ULS - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	50MT060ULS
État de la pièce	Obsolete
Type d'IGBT	-
Configuration	Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100A
Puissance - Max	445W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.55V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	14.7nF @ 30V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	10-MTP
Package de périphérique fournisseur	10-MTP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
50MT060ULS	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT UFAST 600V 100A MTP	Détails
50MT060ULST	IR	50MT060ULST IR SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
50MT060WH	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT WARP 600V 114A MTP	Détails
50MT36-01-1-02N	Grayhill Inc.	SWITCH ROTARY MILITARY PROCESS	Détails
50MT36-01-1-03N	Grayhill Inc.	SWITCH ROTARY MILITARY PROCESS	Détails
50MT36-01-1-03S	Grayhill Inc.	SWITCH ROTARY SS SEALED 36 DEG	Détails
50MT36-01-1-05N	Grayhill Inc.	SWITCH ROTARY MILITARY PROCESS	Détails
50MT36-01-1-06N	Grayhill Inc.	SWITCH ROTARY MILITARY PROCESS	Détails
50MT36-01-1-06S	Grayhill Inc.	SWITCH ROTARY MILITARY PROCESS	Détails
50MT36-01-1-07N	Grayhill Inc.	SWITCH ROTARY SS SEALED 36 DEG	Détails