3N259-E4/72 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	3N259-E4/72
État de la pièce	Last Time Buy
Type de diode	Single Phase
La technologie	Standard
Tension - Peak Reverse (Max)	1000V
Courant - Rectifié moyen (Io)	2A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 3.14A
Courant - Fuite inverse @ Vr	5µA @ 1000V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 165°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	4-SIP, KBPM
Package de périphérique fournisseur	KBPM
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
3N250	Fairchild/ON Semiconductor	RECTIFIER BRIDGE 600V 1.5A KBPM	Détails
3N250-E4/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE BRIDGE 1.5A 600V KBPM	Détails
3N250-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE BRIDGE 1.5A 600V KBPM	Détails
3N250-E4/72	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PH 600V 1.5A KBPM	Détails
3N250-M4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1.5A 600V KBPM	Détails
3N251	Fairchild/ON Semiconductor	RECTIFIER BRIDGE 800V 1.5A KBPM	Détails
3N251-E4/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE BRIDGE 1.5A 800V KBPM	Détails
3N251-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE BRIDGE 1.5A 800V KBPM	Détails
3N251-E4/72	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PH 800V 1.5A KBPM	Détails
3N251-M4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1.5A 800V KBPM	Détails