2N6661JTVP02

2N6661JTVP02 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
2N6661JTVP02
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
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4431 pcs
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2N6661JTVP02 Description détaillée

Numéro d'article 2N6661JTVP02
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 90V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 860mA (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 1A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-39
Paquet / cas TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Poids -
Pays d'origine -

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