| Numéro d'article | 2N6660-E3 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 990mA (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-205AF (TO-39) |
| Paquet / cas | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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2N6027RL1 | ON Semiconductor | THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 | Détails |
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2N6027RL1G | ON Semiconductor | THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 | Détails |
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