1N6286HE3/73 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	1N6286HE3/73
État de la pièce	Obsolete
Type	Zener
Canaux unidirectionnels	1
Canaux bidirectionnels	-
Tension - Inverser l'écart (Typ)	34.8V
Tension - Panne (Min)	38.7V
Tension - Serrage (Max) @ Ipp	61.9V
Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs)	24.2A
Puissance - Impulsion de crête	1500W (1.5kW)
Protection de ligne électrique	No
Applications	Automotive
Capacité @ Fréquence	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	DO-201AA, DO-27, Axial
Package de périphérique fournisseur	1.5KE
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
1N62	EXSHINE	GOLD BONDED DIODES	Détails
1N625A	EXSHINE	silicon diode	Détails
1N626	EXSHINE	silicon diode	Détails
1N6263	STMicroelectronics	DIODE SCHOTTKY 60V 15MA DO35	Détails
1N6263W	DIODES	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE	Détails
1N6263W-7	Diodes Incorporated	DIODE SCHOTTKY 60V 15MA SOD123	Détails
1N6263W-7-F	Diodes Incorporated	DIODE SCHOTTKY 60V 15MA SOD123	Détails
1N6263WS	SEMTECH_ELEC	SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE	Détails
1N6263WT	SEMTECH_ELEC	SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE	Détails
1N6263W_	DIODES	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE	Détails