| Numéro d'article | JANTX4N23A |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Nombre de canaux | 1 |
| Voltage - Isolation | 1000VDC |
| Rapport de transfert actuel (Min) | 60% @ 10mA |
| Rapport de transfert actuel (Max) | - |
| Activer / désactiver le temps (Typ) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 20µs, 20µs (Max) |
| Type d'entrée | DC |
| Le type de sortie | Transistor with Base |
| Tension - Sortie (Max) | 40V |
| Courant - Sortie / Canal | 50mA |
| Tension - Avant (Vf) (Typ) | 1.5V (Max) |
| Courant - DC Forward (If) (Max) | 40mA |
| Vce Saturation (Max) | 300mV |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-78-6 Metal Can |
| Package de périphérique fournisseur | TO-78-6 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Détails |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Détails |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Détails |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Détails |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Détails |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Détails |
