HCT7000MTX - TT Electronics/Optek Technology

Numéro d'article	HCT7000MTX
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Vgs (Max)	±40V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	3-SMD
Paquet / cas	3-SMD, No Lead
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
HCT700	TT Electronics/Optek Technology	TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT	Détails
HCT7000	EXSHINE	N- Channel En hance ment Mode MOS Transistor	Détails
HCT7000M	TT Electronics/Optek Technology	MOSFET N-CH 60V 200MA SMD	Détails
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