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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › TPH3208PS
TPH3208PS

TPH3208PS - Transphorm

Numéro d'article
TPH3208PS
Fabricant
Transphorm
Brève description
GAN FET 650V 20A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TPH3208PS Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1747 pcs
Prix ​​de référence
USD 11.88/pcs
Notre prix
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TPH3208PS Description détaillée

Numéro d'article TPH3208PS
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 300µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 400V
Vgs (Max) ±18V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 13A, 8V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

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