ULN2803APG,CN

ULN2803APG,CN - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
ULN2803APG,CN
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4136 pcs
Prix ​​de référence
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ULN2803APG,CN Description détaillée

Numéro d'article ULN2803APG,CN
État de la pièce Obsolete
Type de transistor 8 NPN Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 500mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Puissance - Max 1.47W
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas 18-DIP (0.300", 7.62mm)
Package de périphérique fournisseur 18-DIP
Poids -
Pays d'origine -

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