TPN2010FNH,L1Q

TPN2010FNH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TPN2010FNH,L1Q
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
38147 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.6657/pcs
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TPN2010FNH,L1Q Description détaillée

Numéro d'article TPN2010FNH,L1Q
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 700mW (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 198 mOhm @ 2.8A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Poids -
Pays d'origine -

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