TPHR9203PL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPHR9203PL,L1Q
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	150A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7540pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SOP Advance (5x5)
Paquet / cas	8-PowerVDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	TPHR9003NL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP	Détails
	TPHR9203PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Détails