TPH4R003NL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPH4R003NL,L1Q
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	14.8nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.6W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SOP Advance (5x5)
Paquet / cas	8-PowerVDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TPH4R003NL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP	Détails
TPH4R008NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV	Détails
TPH4R10ANL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Détails
TPH4R50ANH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV	Détails
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