TPH2R506PL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPH2R506PL,L1Q
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5435pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	134W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 mOhm @ 30A, 4.5V
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SOP Advance (5x5)
Paquet / cas	8-PowerVDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TPH2R306NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV	Détails
TPH2R506PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Détails
TPH2R608NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 75V 150A SOP8	Détails