TPH2010FNH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPH2010FNH,L1Q
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5.6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	198 mOhm @ 2.8A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SOP Advance (5x5)
Paquet / cas	8-PowerVDFN
Poids	-
Pays d'origine	-