TPH11006NL,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPH11006NL,LQ
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.6W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.4 mOhm @ 8.5A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SOP Advance (5x5)
Paquet / cas	8-PowerVDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TPH11003NL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 30V 32A 8SOP	Détails
TPH11006NL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP	Détails
TPH1110ENH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP	Détails
TPH1110FNH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP	Détails