TPC8408,LQ(S - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPC8408,LQ(S
État de la pièce	Active
FET Type	N and P-Channel
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	6.1A, 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 10V
Puissance - Max	450mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SOP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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