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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Matrices › TPC8223-H,LQ(S
TPC8223-H,LQ(S

TPC8223-H,LQ(S - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TPC8223-H,LQ(S
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TPC8223-H,LQ(S Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
54122 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.4851/pcs
Notre prix
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TPC8223-H,LQ(S Description détaillée

Numéro d'article TPC8223-H,LQ(S
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V
Puissance - Max 450mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOP
Poids -
Pays d'origine -

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