TPC8126,LQ(CM

TPC8126,LQ(CM - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TPC8126,LQ(CM
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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4260 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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TPC8126,LQ(CM Description détaillée

Numéro d'article TPC8126,LQ(CM
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 10V
Vgs (Max) +20V, -25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 5.5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SOP (5.5x6.0)
Paquet / cas 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Poids -
Pays d'origine -

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