TPC8109(TE12L)

TPC8109(TE12L) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TPC8109(TE12L)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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4417 pcs
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TPC8109(TE12L) Description détaillée

Numéro d'article TPC8109(TE12L)
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SOP (5.5x6.0)
Paquet / cas 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Poids -
Pays d'origine -

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