TK8P60W5,RVQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK8P60W5,RVQ
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 400µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	560 mOhm @ 4A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DPAK
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	TK8P60W,RVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 8A DPAK	Détails
	TK8P60W5,RVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 8A DPAK	Détails