TK80S06K3L(T6L1,NQ

TK80S06K3L(T6L1,NQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TK80S06K3L(T6L1,NQ
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
28555 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.9281/pcs
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TK80S06K3L(T6L1,NQ Description détaillée

Numéro d'article TK80S06K3L(T6L1,NQ
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 80A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 40A, 10V
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DPAK+
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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