TK62N60X,S1F

TK62N60X,S1F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TK62N60X,S1F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TK62N60X,S1F Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1010 pcs
Prix ​​de référence
USD 11.26/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour TK62N60X,S1F

TK62N60X,S1F Description détaillée

Numéro d'article TK62N60X,S1F
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 61.8A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3.1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6500pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique Super Junction
Dissipation de puissance (Max) 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 21A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247
Paquet / cas TO-247-3
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR TK62N60X,S1F