TK5Q60W,S1VQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK5Q60W,S1VQ
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5.4A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 270µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	Super Junction
Dissipation de puissance (Max)	60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 2.7A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	I-Pak
Paquet / cas	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	TK5Q60W,S1VQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK	Détails
	TK5Q65W,S1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK	Détails