TK58E06N1,S1X

TK58E06N1,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TK58E06N1,S1X
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N CH 60V 58A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
375 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.48/pcs
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TK58E06N1,S1X Description détaillée

Numéro d'article TK58E06N1,S1X
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 58A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 29A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

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