TK50E06K3A,S1X(S - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK50E06K3A,S1X(S
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	50A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220-3
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TK50E06K3(S1SS-Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB	Détails
TK50E06K3A,S1X(S	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB	Détails
TK50E08K3,S1X(S	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 75V 50A TO-220AB	Détails