TK40E06N1,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK40E06N1,S1X
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	40A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 300µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.4 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TK40E06N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 60V 40A TO-220	Détails
TK40E10K3,S1X(S	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB	Détails
TK40E10N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 100V 90A TO220	Détails