TK40A10N1,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK40A10N1,S4X
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220SIS
Paquet / cas	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	TK40A06N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS	Détails
	TK40A10N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 40A TO-220	Détails